実験第2回予習

テーマ「トランジスタの静特性、CR結合増幅器」

実験
・ダイオードとトランジスタの特性を測定する。
・CR結合増幅器を作成し特性を測定する。

1年生や2年生の実験はとにかく浅く広くでした。
専門の分野の実験なんて、一回くらいのもので、他は全部未知の分野の実験でした。
今年の実験は逆に狭く深くです。
今までに勉強したことの実践になっていて、すごく勉強になる。

・・・というか、春休みに勉強したことが活きてくれて嬉しい。

だが・・・。
授業は面白かったり、実験は楽しかったりで良いのですが。
独習の方が思うように進んでいません。
モチベーション、急低下中。

やりたいことが見つかったのだから、頑張らねば。

前回の実験のレポートに異常に時間がかかったため、今回の予習はさらりと。
っていうか、早く寝ないと明日遅刻する。

ダイオードの静特性の測定回路。
でも、ダイオードがどこにもない。
つまり、npnトランジスタのベース-エミッタのp-n接合をダイオードとしようということだと思います。

あえてそうする理由は、ここで作った回路をトランジスタの静特性の測定回路に流用するためでしょう・・・。

あの教科書で散々見させられた、線形領域、飽和領域とかいうやつを自分で測定するわけですね。
あの線がいっぱい書いてあるグラフを自分で書くわけですね。
これは、楽しくなってきたぞー。

そして、トランジスタ回路の基本中の基本である、CR結合増幅回路。
同じ回路を今までにも何度も見てきたはずですが、それなりに複雑なので理解していないと同じ回路とは認識できない。
認識できるようになって良かったです。

実験書には、「定本 トランジスタ回路の設計」に書かれていたようなことが色々と書かれています。
・カップリングコンデンサによって直流成分を除去する。
・バイパスコンデンサを容量の違う2way構造にする。
・コレクタ抵抗とエミッタ抵抗の比で増幅率が決まる。
・エミッタ抵抗を小さくしすぎると、トランジスタの熱特性によって不安定になる。
・分圧回路の云々・・・。

だんだんと時間がなくなってきて、文章がテキトーになってきたぞ。
寝なきゃ!

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